姓名：刘扬　 性别：男　　出生年月：1969年8月　
　　职称：教授　　学院：理工学院　 最后学历：博士
　　主要研究方向：宽禁带III-V族氮化物半导体材料与器件

教学科研情况

1991年、1994年和2000年于吉林大学电子科学与工程学院微电子学和固体电子学专业分别获得学士、硕士和博士学位。主要从事宽谱高功率1.55微米量子阱InGaAsP/InP集成超辐射光源的研制的研究工作。

1994年9月至2001年10月，吉林大学通信工程学院，助教、讲师。从事光通信教学和科研工作。

2001年11月至2007年4月在日本名古屋工业大学纳米器件与系统研究中心访问研究，主要从事GaN基材料的MOCVD法生长以及它在发光器件和电子器件方面的应用研究。

2007年5月至今，中山大学，教授。

教学课程: 《半导体物理》《半导体光电器件》

承担课题

中山大学百人计划引进人才研究项目

中山大学后备重点课题项目

发表论文

1.Y. Liu, T. Egawa, and H. Jiang “Enhancement-mode quaternary AlInGaN/GaN HEMT with non-recessed-gate on sapphire substrate” Electronics Letters, Vol.42, pp.884 (2006.07)

2.Yang Liu, Takashi Egawa, Hao Jiang, Baijun Zhang and Hiroyasu Ishikawa “Novel Quaternary AlInGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors on Sapphire Substrate” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.45, pp.5728 (2006.07)

3.Y. Liu, H. Jiang, T. Egawa, B. Zhang, and H. Ishikawa “Al composition dependent properties of quaternary AlInGaN Schottky diodes” Journal of Applied Physics, Vol. 99, pp.123702 (2006.06)

4.H. Jiang, T. Egawa, M. Hao, Y. Liu “Reduction of threading dislocations in AlGaN layers grown on AlN/sapphire templates using high-temperature GaN interlayer”, Applied Physics Letters, Vol. 87, pp.241911 (2005.12)

5.Y. Liu, H. Jiang, S. Arulkumaran, T. Egawa, B. Zhang and H. Ishikawa “Demonstration of undoped quaternary AlInGaN/GaN heterostructure field-effect transistor”, Applied Physics Letters, Vol.86, pp.223510 (2005.05).

6.Baijun Zhang, Takashi Egawa, Hiroyasu Ishikawa, Yang Liu, and Takashi Jimbo “Thin-film InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes transferred from Si (111) substrate onto copper carrier by selective lift-off”, Applied Physics Letters, Vol. 86, No.7, pp.071113 (2005.02).
 

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